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  • 英飛凌IGBT斬波模塊FD150R/FD200R/DF150R
    英飛凌IGBT斬波模塊FD150R/FD200R/DF150R

    在電動汽車的“三電”方面,TESLA的Model S使用的三相異步驅(qū)動電機(jī),其中每一相的驅(qū)動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片,三相共需要使用84顆IGBT芯片。算算總量,就可知需求的龐大。此外,充...

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  • IGBT模塊2U/6U全新*Infineon英飛凌系列
    IGBT模塊2U/6U全新*Infineon英飛凌系列

    由于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的問題,有時(shí)驅(qū)動板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上,而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅(qū)動電路本身的輸出雜散電感和IGBT內(nèi)部的柵極綁定線雜散電感一起,構(gòu)成了柵極回路電感Lg。它...

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  • 1200V英飛凌 6單元IGBT模塊BSM半導(dǎo)體
    1200V英飛凌 6單元IGBT模塊BSM半導(dǎo)體

    IGBT開通性能而言,有兩個(gè)比較重要的表現(xiàn)指標(biāo):一個(gè)是開通時(shí)橋臂電流的變化率di/dt,另一個(gè)是器件從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所產(chǎn)生的開通損耗。前者如果太高,續(xù)流二極管(FWD)也會有一個(gè)很快的反向恢復(fù)過程...

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  • 英飛凌IGBT模塊1單元BSM系列1200V/1700V
    英飛凌IGBT模塊1單元BSM系列1200V/1700V

    如今,IGBT已被廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源領(lǐng)域。與MOSFET相同,它也是一種壓控型器件。其開關(guān)性能可通過IGBT驅(qū)動設(shè)置加以控制或影響。優(yōu)化IGBT開關(guān)性能對于系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言十分重要,因?yàn)椴煌拈_關(guān)損耗會影...

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  • 英飛凌IGBT模塊BSM系列GB2單元功率模塊
    英飛凌IGBT模塊BSM系列GB2單元功率模塊

    德國infineon公司生產(chǎn)的IGBT模塊品種繁多,為了使客戶選型方便,我們對其按電壓等級進(jìn)行分類,共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五種電...

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  • 英飛凌IGBT模塊4單元H橋電子元器件半導(dǎo)體
    英飛凌IGBT模塊4單元H橋電子元器件半導(dǎo)體

    IGBT使用注意事項(xiàng)(1)操作過程中要佩戴防靜電手環(huán)(2)盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸(3)IGBT模塊驅(qū)動端子上的黑色...

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  • Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號齊全
    Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號齊全

    選擇IGBT模塊時(shí),通常是先計(jì)算通過IGBT模塊的電流值,然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn),考慮到過載、電網(wǎng)波動、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應(yīng)的IGBT模塊。但嚴(yán)格的選擇,應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況...

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  • 全新*英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導(dǎo)體
    全新*英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導(dǎo)體

    因?yàn)榇蠖鄶?shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下,所以,通常IGBT模塊的工作電壓,均對應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級??紤]到過載,電網(wǎng)波動,開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子...

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  • 英飛凌IGBT功率模塊半橋2單元可控硅晶閘管
    英飛凌IGBT功率模塊半橋2單元可控硅晶閘管

    對于一個(gè)具體的應(yīng)用來說,在選擇IGBT功率模塊時(shí),需要考慮其在任何靜態(tài)、動態(tài)、過載(如短路)的運(yùn)行情況下:器件耐壓;在實(shí)際的冷卻條件下,電流的承受力;合適的開關(guān)頻率;安全工作區(qū)(SOA)限制;最高運(yùn)行...

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  • 西門康模塊IGBT智能功率模塊賽米控元器件
    西門康模塊IGBT智能功率模塊賽米控元器件

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有...

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